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发明

一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法

2023-08-17 07:08:48 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310498742.0
  • 公开（公告）日：2025-05-09
  • 公开（公告）号：CN116594260A
  • 申请人：乾宇微纳技术（深圳）有限公司
摘要：本发明公开了一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法，属于电子浆料技术领域，所述的负型厚膜光刻浆料，包括以下质量百分比的组合：75~80%导电金属相、15~25%感光性有机载体、0.5~2%粘结相；所述粘结相包括玻璃粉及无机添加剂；所述玻璃粉与无机添加剂的质量比为1：（0.1~0.8）；所述无机添加剂包括氧化铋、氧化锆、三氧化钨，所述氧化铋、氧化锆、三氧化钨的质量比为1：（0.5~2）：（0.2~1）。所述的负型厚膜光刻浆料具有优异的导电性能、粘结力以及耐酸性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116594260 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202310498742.0 H01B 1/16 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) (22)申请日 2023.05.06 (71)申请人 乾宇微纳技术（深圳）有限公司 地址 518000 广东省深圳市光明区凤凰街 道塘尾社区恒泰裕大厦1栋514-2 (72)发明人 伍佩铭　董鹏程　许迪　孙胜延　 丁德锐　 (74)专利代理机构 深圳利联知识产权代理事务 所(普通合伙) 44866 专利代理师 蒋勇华 (51)Int.Cl. G03F 7/038 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01) G03F 7/027 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 (54)发明名称 一种负型厚膜光刻浆料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种负型厚膜光刻浆料及其 制备方法，属于电子浆料技术领域，所述的负型 厚膜光刻浆料，包括以下质量百分比的组合：75~ 80%导电金属相、15 25%感光性有机载体、0.5 2% ~ ~

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