RRAM读取电路以及RRAM读取电路的读取方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117746946 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311862202.2 (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 张江国家实验室 地址 201210 上海市浦东新区海科路99号 (72)发明人 杨建国　杨宏虎　蒋海军　 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 专利代理师 宋俊寅　张鑫 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) G11C 7/10 (2006.01) 权利要求书4页 说明书10页 附图4页 (54)发明名称 RRAM读取电路以及RRAM读取电路的读取方 法 (57)摘要 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考 电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接， 用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模 块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关 模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏 置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的 自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接， 用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差 值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块； 与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取 电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合 A 模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大 6 得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输 4 9 6 出模块。 4 7 7 1 1 N C