半导体存储器装置及其操作方法以及半导体存储器系统

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782081 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202110382033.7 (22)申请日 2021.04.09 (30)优先权数据 10-2020-0070566 2020.06.10 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 崔亨进　 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 刘久亮　黄纶伟 (51)Int.Cl. G11C 16/14 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图7页 (54)发明名称 半导体存储器装置及其操作方法以及半导 体存储器系统 (57)摘要 提供了一种半导体存储器装置及其操作方 法以及半导体存储器系统。半导体存储器装置可 以包括缓存锁存电路和感测锁存电路。缓存锁存 电路可以存储设置数据。感测锁存电路可以存储 感测数据。 A 1 8 0 2 8 7 3 1 1 N C CN 113782081 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置为存储从外部源接收到的输入数据；以 及 多个页缓冲器电路，所述多个页缓冲器电路通过位线联接到所述存储器单元阵列，并 且被配置为在编程操作期间将