半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112837725 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202010915165.7 (22)申请日 2020.09.03 (30)优先权数据 10-2019-0151829 2019.11.25 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 郑允敬　秋喆焕　 (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 李娜　王占杰 (51)Int.Cl. G11C 11/406 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书4页 说明书16页 附图18页 (54)发明名称 半导体存储器件和操作半导体存储器件的 方法 (57)摘要 本公开涉及一种半导体存储器件和操作半 导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括 存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路 和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括存储单 元行。所述刷新控制电路对所述存储单元行执行 刷新操作。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎， 使得所述ECC引擎在读取操作期间通过对至少一 个第一存储单元行中的子页面执行ECC解码来生 成错误生成信号。所述控制逻辑电路将所述第一 存储单元行的错误发生计数与阈值进行比较，并 基于所述比较向所述刷新控制电路提供所述第 A 一存储单元行的第一地址作为错误地址。所述刷 5 新控制电路增加在刷新时段期间在所述第一存 2 7