具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113957532 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202110826438.5 B24B 5/50 (2006.01) B28D 5/04 (2006.01) (22)申请日 2021.07.21 (30)优先权数据 20186879.1 2020.07.21 EP (71)申请人 硅晶体有限公司 地址 德国纽伦堡 (72)发明人 迈克尔 ·沃格尔　欧文 ·施密特　 阿恩德-迪特里希 ·韦伯　 拉尔夫-乌韦 ·巴尔茨　 多米尼克 ·巴恩斯巴赫　 (74)专利代理机构 北京同达信恒知识产权代理 有限公司 11291 代理人 黄志华　何月华 (51) Int.C l. C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书3页 说明书19页 附图10页 (54)发明名称 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化 硅晶体衬底及其生产方法 (57)摘要 本发明涉及具有用于减少裂缝的最佳晶面 取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法，尤其提供 了一种其晶体结构的特定取向设定为减少或者 甚至消除机械加工期间裂纹或裂缝的出现的单 晶4H‑SiC半成品及其生产方法。该具有纵向轴线 和平行于所述纵