锭生长装置

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114277438 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202011408528.4 (22)申请日 2020.12.03 (30)优先权数据 10-2020-0126317 2020.09.28 KR (71)申请人 韩华思路信 地址 韩国首尔 (72)发明人 裵东佑　李京锡　李泳敏　 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 陈万青　李雪 (51)Int.Cl. C30B 29/06 (2006.01) C30B 15/14 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图13页 (54)发明名称 锭生长装置 (57)摘要 本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭 生长装置包括：生长炉，在内部配置为了使锭生 长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩 埚的外侧面，包括互相电绝缘的多个发热部件； 以及加热器，用于产生磁场，借助因磁场而产生 的电磁感应来对上述多个发热部件进行加热，上 述多个发热部件沿着上述主坩埚的外侧面形成 环状。 A 8 3 4 7 7 2 4 1 1 N C CN 114277438 A 权　利　要　求　书 1/2 页 1.一种锭生长装置，其特征在于， 包括