一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113337880 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110440189.6 (22)申请日 2021.04.19 (71)申请人 上海新昇半导体科技有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区临港新片区云水路 1000号 (72)发明人 温雅楠　金光勳　 (74)专利代理机构 北京磐华捷成知识产权代理 有限公司 11851 代理人 谢栒 (51)Int.Cl. C30B 15/00 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置 (57)摘要 本发明提供一种可调节导流筒及半导体晶 体生长装置，导流筒包括固定部和调节部，导流 筒呈桶状并绕晶棒四周设置，其中，固定部上端 向外延伸的部分固定于半导体生长装置上，固定 部向下延伸的部分为逐渐向晶体靠近的斜面，固 定部底部为靠近液面的平面，以控制与液面的最 小距离；调节部位于固定部的斜面上，调节部通 过固定装置固定于固定部的斜面上，调节部用于 根据需要调整与晶棒之间的最小距离。本发明在 不改变其他参数的情况下，改变导流筒的调节部 可以调整晶体氧含量，从而控制晶体的质量。 A 0 8 8 7 3 3 3 1 1