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运用于非易失性存储器的写入电压产生器

2023-07-05 07:16:03 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110600582.7
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN113808638A
  • 申请人:力旺电子股份有限公司
摘要:一种运用于非易失性存储器的写入电压产生器。该写入电压产生器连接于一磁阻式随机存取存储器。在一写入动作时,该写入电压产生器提供一写入电压。而根据写入电压,该磁阻式随机存取存储器中一写入路径内一选定存储器胞的存储状态可对应地改变。该写入电压产生器包括:一温度补偿电路与一制程角落补偿电路。该温度补偿电路根据一环境温度产生一转态电压,且该环境温度越高,该转态电压越低。再者,制程角落补偿电路接收该转态电压并产生该写入电压。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808638 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110600582.7 (22)申请日 2021.05.31 (30)优先权数据 63/038,895 2020.06.14 US 17/204,977 2021.03.18 US (71)申请人 力旺电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学园区 (72)发明人 张家福  (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 徐协成 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) G11C 7/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图13页 (54)发明名称 运用于非易失性存储器的写入电压产生器 (57)摘要 一种运用于非易失性存储器的写入电压产 生器。该写入电压产生器连接于一磁阻式随机存 取存储器。在一写入动作时,该写入电压产生器 提供一写入电压。而根据写入电压,该磁阻式随 机存取存储器中一写入路径内一选定存储器胞 的存储状态可对应地改变。该写入电压产生器包 括:一温度补偿电路与一制程角落补偿电路。该 温度补偿电路根据一环境温度产生一转态电压, 且该环境温度越高,该转态电压越低。再者,制程 角落补偿电路接收该转态电压并产生该写入电 压。 A 8 3 6 8 0 8 3 1 1 N C CN 113808638 A

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