EEPROM存储器设备和对应方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223595 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110179558.0 (22)申请日 2021.02.07 (30)优先权数据 2001195 2020.02.06 FR (71)申请人 意法半导体(鲁塞)公司 地址 法国鲁塞 (72)发明人 F ·塔耶　M ·巴蒂斯塔　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华　李春辉 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) 权利要求书3页 说明书12页 附图4页 (54)发明名称 EEPROM存储器设备和对应方法 (57)摘要 本公开涉及EEPROM存储器设备和对应方法。 电可擦除可编程只读存储器类型的存储器设备 包括写入电路装置，写入电路装置被设计为：响 应于接收到用于写入在存储器平面的至少一个 选中存储器字中的至少一个选中字节的命令，进 行写入操作，写入操作包括跟随有编程周期的擦 除周期，并且写入电路装置被配置用于在擦除周 期期间：在至少一个选中存储器字的所有字节的 存储器单元中生成擦除电压，并且生成擦除禁止 电位，擦除禁止电位相对于擦除电压被配置，以 防止擦除至少一个选中存储器字的未选中字节 的存储器单元，该未选中字节不是至少一个选中 A 字节。 5 9 5 3 2 2 3 1 1 N C CN