具有存取线控制的存储器阵列

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951293 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202011239763.3 (22)申请日 2020.11.09 (30)优先权数据 16/710,687 2019.12.11 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 李继云　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 11/4067 (2006.01) G11C 11/4063 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图6页 (54)发明名称 具有存取线控制的存储器阵列 (57)摘要 本申请针对具有存取线控制的存储器阵列。 一种示范性设备包含存储器单元阵列。每个存储 器单元包含存取装置。每个存取装置包含第一源 极/漏极区域、第二源极/漏极区域以及与连接所 述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区 域的沟道相对的栅极。每个存取装置还包含存储 节点。所述示范性设备还包含多条感测线，所述 多条感测线耦合到所述存储器单元阵列中的不 同相应的存储器单元的所述第一源极/漏极区 域。所述示范性设备还包含多条存取线，其中每 条存取线包含至少一个导电通路，所述至少一个 导电通路形成于所述存取线与耦合到所述存取 A 线的存取装置的源极/漏极区域之间。所述示范 3 性设备还包含分路感测线，所述分路感测线耦合 9