降低<111>晶向重掺单晶电阻率径向变化率的方法、单晶晶棒及应用2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117248268 A (43)申请公布日 2023.12.19 (21)申请号 202311232017.5 (22)申请日 2023.09.22 (71)申请人 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 地址 750000 宁夏回族自治区银川市经济 技术开发区光明西路28号 (72)发明人 王忠保　马成　芮阳　徐慶晧　 王黎光　曹启刚　张昆　 (74)专利代理机构 宁夏三源鑫知识产权代理事 务所(普通合伙) 64105 专利代理师 雷洋 (51)Int.Cl. C30B 15/20 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 降低<111>晶向重掺单晶电阻率径向变化率 的方法、单晶晶棒及应用 (57)摘要 本发明提供一种降低<111>晶向掺锑单晶电 阻率径向变化率的方法及单晶晶棒，涉及<111> 晶向单晶硅拉晶技术领域，在重掺拉制晶棒时， 当晶棒进入等径阶段时，通过在预定等径长度内 调整晶棒的拉速进行晶棒拉制，一方面，改善固 液界面形状，从而中心电阻率和边缘电阻率偏差 降低，使得晶体的电阻率分布更均匀，提高材料 的电子性质均匀性；另一方面，减小杂质在(111) 原子密排面与其他平面区的杂质浓度，进而减小 <111>晶向重掺单晶的小平面效应，从而降低电 阻率径向变化率（RRG），提高材料的电子性质稳 A 定性，应用更加广泛。