一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114890379 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210529439.8 (22)申请日 2022.05.16 (71)申请人 天津山河光电科技有限公司 地址 300450 天津市滨海新区经济技术开 发区滨海-中关村科技园华塘睿城一 区3号楼二层B区015号 (72)发明人 孙磊　 (74)专利代理机构 北京墨丘知识产权代理事务 所(普通合伙) 11878 专利代理师 唐忠仙 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) G02B 1/00 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作 方法 (57)摘要 本申请实施例公开了一种基于高深宽比纳 米柱的光学器件制作方法，针对光学器件中的任 一纳米柱，方法包括：在衬底的端面之上镀第一 材料；刻蚀部分第一材料，得到设置纳米柱的目 标位置，以及在刻蚀掉第一材料的衬底端面处镀 第二材料；在第二材料与第一材料形成的端面之 上镀纳米材料；刻蚀纳米材料，以保留纳米柱的 目标位置处的纳米材料，得到纳米柱，纳米柱的 高度与纳米柱的宽度比值大于或者等于10；在刻 蚀掉纳米材料的部分镀保护材料，以支撑所述纳 米柱。通过依次镀