一种可见光诱导的SiN纳米网平台可控制备方法及其应用

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804017 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210458762.0 (22)申请日 2022.04.27 (71)申请人 武汉大学 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山 街道八一路299号 (72)发明人 翟月明　李静　柴佳　 (74)专利代理机构 武汉科皓知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 42222 专利代理师 李炜 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) G01N 33/68 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种可见光诱导的SiN纳米网平台可控制备 方法及其应用 (57)摘要 本发明公开了一种可见光诱导的SiN纳米网 平台可控制备方法及其应用。方法如下：(1)利用 透射电子显微镜的电子束聚焦于SiNx薄膜上制 备出不同直径的纳米孔(2)将步骤(1)的带有纳 米孔的SiNx薄膜置于溶液A中，用高均匀氙灯在 室温下进行不同时间的光照以收缩孔径；(3)光 照后的SiNx纳米孔置于TEM下观察孔径的变化， 并确定孔径随光照时间的变化规律；(4)通过步 骤(3)的变化规律实现对所需孔径SiNx纳米孔的 可控制备。本发明利用透