原创力.专利
实用新型
一种电子级多晶硅还原炉进料喷嘴2024
2024-11-09 13:54:27
发布于四川
3
- 申请专利号：CN202422484280.X
- 公开（公告）日：2024-11-08
- 公开（公告）号：CN221971280U
- 申请人：内蒙古大全半导体有限公司
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，提供了一种新型的进料喷嘴，该进料喷嘴由中空球体结构、进料管、六棱柱筒体和防护罩组成，一方面，通过防护罩的底面与还原炉底盘贴合能够保证各个进料喷嘴安装高度的一致性，使炉内进料分布均匀，避免出现进料喷嘴安装角度不一致、高度不等同的情况，保证炉内反应气场的均匀性；另一方面，通过在中空球体结构的顶点与赤道线之间的表面上均匀开设有多个喷孔，能够提升混合气进入还原炉内的流速，并且能够使炉内进料分布均匀，保证炉内反应气场的均匀性，上述设置均能改善电子级多晶硅沉积效果，改善电子级多晶硅棒的表面形态，避免由于硅棒中部和底部的生长状况不一致造成倒棒现象。
专利内容
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，提供了一种新型的进料喷嘴，该进料喷嘴由中空球体结构、进料管、六棱柱筒体和防护罩组成，一方面，通过防护罩的底面与还原炉底盘贴合能够保证各个进料喷嘴安装高度的一致性，使炉内进料分布均匀，避免出现进料喷嘴安装角度不一致、高度不等同的情况，保证炉内反应气场的均匀性；另一方面，通过在中空球体结构的顶点与赤道线之间的表面上均匀开设有多个喷孔，能够提升混合气进入还原炉内的流速，并且能够使炉内进料分布均匀，保证炉内反应气场的均匀性，上述设置均能改善电子级多晶硅沉积效果，改善电子级多晶硅棒的表面形态，避免由于硅棒中部和底部的生长状况不一致造成倒棒现象。C01B33/035(2006.01)
