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发明

一种用于高压器件的碳化硅厚外延片2025

2023-11-19 07:22:11 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202311005444.X
  • 公开（公告）日：2025-03-07
  • 公开（公告）号：CN117071062A
  • 申请人：南京百识电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种用于高压器件的碳化硅厚外延片，有效解决外延片晶体缺陷和抗烧蚀性能差的问题。通过对碳化硅衬底进行涂布改性碳膜的方法，在外延和退火过程中通过碳膜的碳原子迁移，补充外延层的碳空位，从而实现碳空位修复的目的，提高碳化硅外延片载流子寿命的目的。其次在改性碳膜中掺杂铝粒子以提高其抗烧蚀性能，A l具有较高的熔点和较大的相变潜热，导热系数高、抗高温氧化性能好，氧化形成的A l 2O3具有熔点高、热膨胀系数低、良好的力学性能和耐腐蚀等优点，能充当隔热层并防止氧气扩散到内部S i C层中，实现表面裂纹自愈合，显著提高碳化硅厚外延片的抗烧蚀性能，对半导体器件的研制也具有重要的意义。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117071062 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202311005444.X (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人 南京百识电子科技有限公司 地址 211806 江苏省南京市浦口区大余所 路5号中科创新产业园A11栋 (72)发明人 肖陆军　罗艾　陈威佑　蔡清富　 (74)专利代理机构 北京红梵知识产权代理事务 所(普通合伙) 11912 专利代理师 郑幸运 (51)Int.Cl. C30B 25/18 (2006.01) C30B 25/20 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 (54)发明名称 一种用于高压器件的碳化硅厚外延片 (57)摘要 本发明公开了一种用于高压器件的碳化硅 厚外延片，有效解决外延片晶体缺陷和抗烧蚀性 能差的问题。通过对碳化硅衬底进行涂布改性碳 膜的方法，在外延和退火过程中通过碳膜的碳原 子迁移，补充外延层的碳空位，从而实现碳空位 修复的目的，提高碳化硅外延片载流子寿命的目 的。其次在改性碳膜中掺杂铝粒子以提高其抗烧 蚀性能，A  l具有较高的熔点和较大的相变潜热， 导热系数高、抗高温氧化性能好，氧化形成的A  l  O 具有熔点高、热膨胀系数低、良

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