内存电路及内存编程方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664352 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011547642.5 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人 华邦电子股份有限公司 地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 (72)发明人 何文乔　柳弼相　 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 专利代理师 宋兴　臧建明 (51)Int.Cl. G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 内存电路及内存编程方法 (57)摘要 本发明提供一种内存电路及内存编程方法， 适用于编程闪存，包括电荷泵电路，产生泵电压 与泵电流；电压调节器，耦接电荷泵电路，并根据 泵电压与泵电流产生编程电压与编程电流以编 程闪存；电压传感器，耦接电压调节器以监视编 程电压的电压值；以及多个开关电路，其中每个 开关电路的一端耦接电压传感器，另一端耦接闪 存，且所述多个开关电路的导通个数根据所述编 程电压的所述电压值决定。 A 2 5 3 4 6 6 4 1 1 N C CN 114664352 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种内存电路，适用于编程闪存，所述内存电路