一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi2W2O9的制备方法和应用
- 申请专利号:CN202310238466.4
- 公开(公告)日:2025-01-24
- 公开(公告)号:CN116200829A
- 申请人:临沂大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116200829 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310238466.4 (22)申请日 2023.03.14 (71)申请人 临沂大学 地址 276000 山东省临沂市兰山区工业大 道北段西侧 (72)发明人 田相鑫 李志远 刘敬权 (74)专利代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 专利代理师 李海霞 (51)Int.Cl. C30B 29/32 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) C30B 11/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi W O 2 2 9 的制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开一种高密度、快衰减时间的闪烁 晶体Bi W O 的制备方法和应用,属于闪烁晶体材 2 2 9 料技术领域。本发明将元素周期表中最重的稳定 元素Bi与重元素W与低维Aurivillius型晶体结 构进行有机结合,制备得到一种高密度、快衰减 时间的闪烁晶体材料。本发明制备得到的Bi W O 2 2 9 晶体的衰减时间短,最小衰减时间为1 .40ns,慢 分量为41.63ns,是一种超快衰减的闪烁体。本
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