一种GaN单晶衬底的制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117552111 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202311533965.2 (22)申请日 2023.11.16 (71)申请人 东南大学苏州研究院 地址 215000 江苏省镇江市苏州工业园区 独墅湖高教区林泉街399号 (72)发明人 范谦　顾星　倪贤锋　 (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 金诗琦 (51)Int.Cl. C30B 29/40 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 一种GaN单晶衬底的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种GaN单晶衬底的制备方 法，包括以下步骤：在基板上依次生长阻挡层、第 一键合层，在衬底上依次生长GaN外延薄膜、第二 键合层；将第一键合层与第二键合层键合，形成 键合层，去除衬底，得到自下而上的基板、阻挡 层、键合层、GaN外延薄膜；通过湿法腐蚀使得GaN 外延薄膜远离键合层的一侧表面形成具有(10‑ 11)晶面的GaN岛；在GaN岛上，采用HVPE法在800 ～1000℃生长GaN，形成GaN厚膜；通过HF或BOE法 腐蚀去掉键合层，将基板与GaN厚膜分离；对GaN 厚膜做表面研磨、抛光处理。本发明基板与GaN厚 膜的热膨胀系数一致，不存在失配，长厚时不容 A 易碎裂，能够制备大尺寸GaN单晶。 1