发明

一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法

2023-05-16 10:29:05 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210282043.8
  • 公开(公告)日:2023-06-02
  • 公开(公告)号:CN114737248A
  • 申请人:西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
摘要:本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法,属于磁性功能材料技术领域,该方法包括:以GGG或SGGG为衬底,采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜,在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理,再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜;经本发明退火处理的单晶厚膜厚,介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低,累积应力得以释放,使单晶膜质量得以显著提升。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114737248 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210282043.8 C30B 33/02 (2006.01) (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人 西南应用磁学研究所(中国电子科 技集团公司第九研究所) 地址 621000 四川省绵阳市滨河北路西段 268号 (72)发明人 帅世荣 李阳 李俊 魏占涛  刘庆元 陈运茂 游斌 蓝江河  肖礼康  (74)专利代理机构 绵阳市博图知识产权代理事 务所(普通合伙) 51235 专利代理师 黎仲 (51)Int.Cl. C30B 19/12 (2006.01) C30B 29/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜 的高温退火方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁 氧体单晶厚膜的高温退火方法,属于磁性功能材 料技术领域,该方法包括:以GGG或SGGG为衬底, 采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜, 在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温 退火处理,再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的 铁氧体单晶厚膜;经本发明退火处理的单晶厚膜 厚,介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低,累积 应力得以释放,使单晶

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