一种高纯碳化硅及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116180226 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310047510.3 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日 2023.01.31 (71)申请人 江苏吉星新材料有限公司 地址 212200 江苏省镇江市扬中市油坊镇 新材料工业园区 申请人 东旭科技集团有限公司 (72)发明人 李奕铭　林宏达　翟虎　宋亚滨　 (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限 公司 11283 专利代理师 陈静 (51)Int.Cl. C30B 27/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) C01B 32/956 (2017.01) C01B 32/984 (2017.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 一种高纯碳化硅及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种高 纯碳化硅及其制备方法，该制备方法包括：(1)将 碳化硅粉料进行除碳处理 ，得到第一碳化硅粉 料；(2)将所述第一碳化硅粉料进行超声清洗处 理并干燥，得到第二碳化硅粉料；(3)将碳粉、硅 粉与所述第二碳化硅粉料进行混料处理，得到混 合料I；(4)采用三阶段程序升温法将所述混合料 I进行反应，得到高纯碳化硅。本发明提供的制备 高纯碳化硅的方法 ，能够提