一种形成硅锗外延层的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116121866 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310178711.7 C23C 14/58 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.02.23 (71)申请人 河北百展科技发展有限公司 地址 050000 河北省石家庄市裕华区裕华 东路150号国际丽都1号楼2单元703室 (72)发明人 李东明　 (74)专利代理机构 石家庄领皓专利代理有限公 司 13130 专利代理师 姬学森 (51)Int.Cl. C30B 25/18 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/52 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 (54)发明名称 一种形成硅锗外延层的方法 (57)摘要 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种形 成硅锗外延层的方法，包括以下步骤：S1、将衬底 清洗 ，吹干后 ，溅射过渡层 ，得到覆有过渡层衬 底；S2、将所述过渡层衬底首先在700～800℃下 进行第一选择性外延成长工艺，在450～500℃下 进行第二选择性外延成长工艺，最后