PCT发明

层叠结构体

2023-05-17 10:09:34 发布于四川 6
  • 申请专利号:CN202180054549.7
  • 公开(公告)日:2025-08-05
  • 公开(公告)号:CN116018260A
  • 申请人:日本碍子株式会社
摘要:本发明的层叠结构体是在基底基板上具备包含α-Ga2O3或α-Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体,其中,半导体膜的平均膜厚为10μm以上,半导体膜呈凸状或凹状翘曲,半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116018260 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202180054549.7 (74)专利代理机构 北京旭知行专利代理事务所 (普通合伙) 11432 (22)申请日 2021.06.09 专利代理师 王轶 郑雪娜 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2020-159611 2020.09.24 JP B32B 9/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.03.03 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/021939 2021.06.09 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/064783 JA 2022.03.31 (71)申请人 日本碍子株式会社 地址 日本国爱知县 (72)发明人 福井宏史 渡边守道 吉川润  权利要求书1页 说明书14页 附图4页 (54)发明名称 层叠结构体 (57)摘要 本发明的层叠结构体是在基底基板上具备

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