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发明

存储器装置以及其读取页面媒体流的方法

2023-06-03 12:10:47 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202010031351.4
  • 公开（公告）日：2025-03-25
  • 公开（公告）号：CN112634969A
  • 申请人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种存储器装置以及其读取页面媒体流的方法，该存储器装置为包含具有第一层级缓冲器锁存器及第二层级缓冲器锁存器的页缓冲器的存储器装置，诸如页面模式NAND闪存，存储器装置使用以下来进行操作：第一流水线级(pipeline stage)，将页面转移至第一层级缓冲器锁存器；第二流水线级，将第二层级缓冲器锁存器清除至第三缓冲器层级且将页面自第一层级缓冲器锁存器转移至第二层级缓冲器锁存器；以及第三流水线级，将页面移动至第三缓冲器层级且以交错方式对页面的第一部分中的数据执行第一ECC函数且在执行第二ECC函数时输出页面的第一部分，且在第三缓冲器层级中对页面的第二部分中的数据执行第一ECC函数，且在执行第二ECC函数时输出第二部分。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112634969 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202010031351.4 (22)申请日 2020.01.13 (30)优先权数据 16/581,562 2019.09.24 US (71)申请人 旺宏电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16 号 (72)发明人 洪继宇　洪硕男　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人 任岩 (51)Int.Cl. G11C 16/26(2006.01) G11C 7/10(2006.01) G11C 29/42(2006.01) 权利要求书4页 说明书14页 附图7页 (54)发明名称 存储器装置以及其读取页面媒体流的方法 (57)摘要 本发明公开了一种存储器装置以及其读取 页面媒体流的方法，该存储器装置为包含具有第 一层级缓冲器锁存器及第二层级缓冲器锁存器 的页缓冲器的存储器装置，诸如页面模式NAND闪 存，存储器装置使用以下来进行操作：第一流水 线级(pipeline stage)，将页面转移至第一层级 缓冲器锁存器；第二流水线级，将第二层级缓冲 器锁存器清除至第三缓冲器层级且将页面自第 一层级缓冲器锁存器转移至第二层级缓冲器锁 存器；以

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