基于2D重叠判断的光刻热点检测方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117891143 A (43)申请公布日 2024.04.16 (21)申请号 202410193948.7 (22)申请日 2024.02.21 (71)申请人 广东工业大学 地址 510062 广东省广州市越秀区东风东 路729号 (72)发明人 王孙康宏　魏丽军　蒋宇帆　何悦　 舒文兰　刘强　 (74)专利代理机构 佛山市禾才知识产权代理有 限公司 44379 专利代理师 刘羽波 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 1/70 (2012.01) G03F 1/84 (2012.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 基于2D重叠判断的光刻热点检测方法 (57)摘要 本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一 种基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，该方法 包括以下步骤：根据芯片2D版图中的电路模块， 划分出多个正交多边形，其中，基于预设分解方 法对所述正交多边形进行矩形分解；根据芯片2D 版图中划分出来的所述正交多边形，划分出多个 匹配区域；确定待匹配芯片2D版图中的精确区 域，以及由所述精确区域延伸出的模糊区域；基 于预设匹配规则，在每一所述匹配区域中，将所 述正交多边形与所述精确区域和/或所述模糊区 域进行匹配判断，得到光刻热点检测结果。本发 明提高了光刻热点检测的判断速度和匹配效率。 A 3 4