静磁场下多模式连铸单晶的方法及装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117364222 A (43)申请公布日 2024.01.09 (21)申请号 202311307576.8 B22D 11/10 (2006.01) (22)申请日 2023.10.10 (71)申请人 上海大学 地址 200444 上海市宝山区上大路99号 (72)发明人 钟云波　郑天祥　冯美龙　林文浩　 周邦飞　陈子阳　陈苏林　李豪　 秦中汉　刘春梅　 (74)专利代理机构 上海上大专利事务所(普通 合伙) 31205 专利代理师 顾勇华 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) C30B 29/02 (2006.01) C30B 29/52 (2006.01) C30B 30/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 静磁场下多模式连铸单晶的方法及装置 (57)摘要 本发明公开了静磁场下多模式连铸单晶的 方法及装置，是一种连铸制备单晶的方法及装 置。在单晶制备过程中，静磁场的引入对纯金属 而言，主要作用在于抑制熔体的流动和温度波 动，避免熔体和坩埚接触地方异质形核质点进入 金属熔体中，降低形核率的同时保证晶体具有一 个稳定的热生长环境。对于凝固过程中存在溶质 再分配行为的合金材料，磁场能够降低溶质原子 扩散距离，降低固液界面前沿的成分过冷