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发明

半导体存储装置及其控制方法

2023-07-09 07:05:24 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110093272.0
  • 公开（公告）日：2025-07-01
  • 公开（公告）号：CN113870923A
  • 申请人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式提供一种能够提高对存储单元晶体管的擦除动作的可靠性的半导体存储装置及其控制方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备与多个存储单元晶体管电连接的第一布线。所述装置还具备对所述第一布线施加第一电压而擦除存储于所述存储单元晶体管的数据的擦除部。而且，所述擦除部以所述第一电压上升到第一值、从所述第一值下降到第二值、维持在所述第二值的方式施加所述第一电压。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113870923 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110093272.0 (22)申请日 2021.01.25 (30)优先权数据 2020-103218 2020.06.15 JP (71)申请人 铠侠股份有限公司 地址 日本东京 (72)发明人 石田贵士　菅野裕士　 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军 (51)Int.Cl. G11C 16/04 (2006.01) G11C 16/26 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图7页 (54)发明名称 半导体存储装置及其控制方法 (57)摘要 实施方式提供一种能够提高对存储单元晶 体管的擦除动作的可靠性的半导体存储装置及 其控制方法。根据一实施方式，半导体存储装置 具备与多个存储单元晶体管电连接的第一布线。 所述装置还具备对所述第一布线施加第一电压 而擦除存储于所述存储单元晶体管的数据的擦 除部。而且，所述擦除部以所述第一电压上升到 第一值、从所述第一值下降到第二值、维持在所 述第二值的方式施加所述第一电压。 A 3 2 9 0 7 8 3 1 1 N C CN 113870923 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种半导体存储装置，具备：

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