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PCT发明

用于3D NAND的局部页面感测模式、方法和装置

2023-06-15 07:14:47 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201980080614.6
  • 公开（公告）日：2025-08-05
  • 公开（公告）号：CN113168872A
  • 申请人：桑迪士克科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种局部页面感测方法和系统，其中在将位线电压(VBLC)施加至存储器单元阵列的第一局部页面的第一位线时，使第二局部页面的第二位线浮动。该第二局部页面的该第二位线是与该第一局部页面的该第一位线交错的位线。与一个或多个附加局部页面相关联的位线可以接地或浮动。与跟第一位线之一相邻的附加局部页面相关联的位线可以浮动。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113168872 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980080614.6 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 (22)申请日 2019.12.17 代理人 马爽　臧建明 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16/453,202 2019.06.26 US G11C 16/24 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 27/11565 (2017.01) 2021.06.04 H01L 27/1157 (2017.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 27/11578 (2017.01) PCT/US2019/066745 2019.12.17 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/263320 EN 2020.12.30

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