一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110480 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202211440530.9 (22)申请日 2022.11.17 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区中国 （上海） 自由贸易试验区祖冲之路1399号 (72)发明人 杨辉　王卉　任栋梁　黄菡昀　 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 专利代理师 郑星 (51)Int.Cl. G11C 29/08 (2006.01) G11C 29/56 (2006.01) G06F 18/24 (2023.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的 测试方法 (57)摘要 本发明公开了一种有效分辨闪存真假数据 保留性失效的测试方法，包括：S1，写入数据：选 中闪存单元进行目标数据写入；S2，选定闪存芯 片，读取各闪存单元中存储的数据，将表征存储 数据的读出电流与标准电流比较得到读出数据， 将读出数据与写入目标数据进行比对，根据比对 结果将待测闪存芯片分类；S3，卡紧标准电流对 待确认品进行第二次检查，将读出电流与两个卡 紧阈值进行比较并再次分类为第一类待确认品 和第二类待确认品 ；S4，对第一类待确认品和第 二类待确认品进行模拟老化；S5，老化处理后，进 A 行第三次检查：再次读取闪存芯片各闪存