一种非易失性存储器的过擦除现象的检测方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466375 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011181821.1 (22)申请日 2020.10.29 (71)申请人 普冉半导体（上海）股份有限公司 地址 201210 上海市浦东新区自由贸易试 验区盛夏路560号504室 (72)发明人 汪齐方　陈涛　冯国友　 (74)专利代理机构 上海元好知识产权代理有限 公司 31323 代理人 包姝晴　张静洁 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 7/18 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种非易失性存储器的过擦除现象的检测 方法 (57)摘要 本发明公开了一种非易失性存储器的过擦 除现象的检测方法，包括：步骤S1、对待检测的非 易失性存储器进行上电，使得非易失性存储器释 放内部配置信息；步骤S2、检测漏电初始化；步骤 S3、对所述非易失性存储器的所有全局位线进行 漏电检测，若当前被检测的全局位线存在漏电， 则进入步骤S4；步骤S4、对当前存在漏电的全局 位线中的所有局部位线依次进行漏电检测，若当 前被检测的局部位线存在漏电，则进入步骤S5； 步骤S5、对当前存在漏电的局部位线进行过擦除 修复操作。本发明能够快速检测和/或消除由于 A 误断电引起的过擦除现象。 5 7 3