发明

一种基于超表面的计算型可见-近红外光谱成像芯片2025

2024-02-04 07:50:47 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311496959.4
  • 公开(公告)日:2025-07-01
  • 公开(公告)号:CN117490843A
  • 申请人:哈尔滨工业大学
摘要:本发明公开了一种基于超表面的计算型可见‑近红外光谱成像芯片,所述芯片包括若干个光谱探测像元,其中:所述光谱探测像元包括CMOS探测像元阵列和超表面结构单元阵列;所述超表面结构单元阵列由若干个具有不同透射谱的超表面结构单元组成,超表面结构单元的空气孔形状和尺寸通过贪心算法进行选择,将选定的几种超表面结构单元按算法给定顺序排列成方形形成一个周期,多个周期重复排布构成阵列,一个超表面结构单元对应一个CMOS探测像元,每个周期内的多个CMOS探测像元共同组成一个光谱探测像元。该光谱成像芯片可完美兼容半导体工艺与CMOS集成,完成对光谱信息进行调制的功能,实现可见‑近红外波段高分辨率光谱成像。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117490843 A (43)申请公布日 2024.02.02 (21)申请号 202311496959.4 (22)申请日 2023.11.10 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 孙芳魁 陈俊彤 丁卫强 曹永印  冯睿 李效欣  (74)专利代理机构 哈尔滨龙科专利代理有限公 司 23206 专利代理师 赵立晨 (51)Int.Cl. G01J 3/28 (2006.01) G01J 3/02 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种基于超表面的计算型可见-近红外光谱 成像芯片 (57)摘要 本发明公开了一种基于超表面的计算型可 见‑近红外光谱成像芯片,所述芯片包括若干个 光谱探测像元,其中:所述光谱探测像元包括 CMOS探测像元阵列和超表面结构单元阵列;所述 超表面结构单元阵列由若干个具有不同透射谱 的超表面结构单元组成,超表面结构单元的空气 孔形状和尺寸通过贪心算法进行选择,将选定的 几种超表面结构单元按算法给定顺序排列成方 形形成一个周期,多个周期重复排布构成阵列, 一个超表面结构单元对应一个CMOS探测像元,每 个周期内的多个CMOS探测像元共同组成一个光 A 谱探测像元。该光谱成像芯片可完美兼容半导体

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