单晶硅棒生长方法及装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116005249 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211677268.X (22)申请日 2022.12.26 (71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司 地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司 (72)发明人 潘浩　全铉国　 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 张博 (51)Int.Cl. C30B 15/10 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C30B 30/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 单晶硅棒生长方法及装置 (57)摘要 本发明提供了一种单晶硅棒生长方法及装 置，属于半导体制造技术领域。单晶硅棒生长装 置，包括：坩埚组件，包括石墨坩埚以及设置在所 述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用以盛 放硅溶体 ；包围所述坩埚组件的超导体组件，所 述超导体组件包括沿竖直方向设置的多个超导 体，所述多个超导体相互独立；控制单元，与所述 超导体组件连接，用于在单晶硅棒生长过程中， 分别调整所述多个超导体的磁场强度。本发明的 技术方案能够提高单晶硅棒的产品良率。 A 9 4 2 5 0