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发明

一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法

2023-06-27 09:41:07 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310249660.2
  • 公开（公告）日：2025-07-18
  • 公开（公告）号：CN116281841A
  • 申请人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法，包括在Si基底正面和背面，分别制备SiO2‑Si3N4双层复合薄膜；正面复合薄膜上，沉积绝缘层，以自组装单层SiO2微球为模板，配合金属氧化物SnO2的射频溅射，通过在丙酮中超声去除SiO2微球制备SnO2多孔薄膜，在此基础上利用电子束蒸发技术蒸镀Au，热处理以形成团聚粒子；在硅片正面得到敏感电极及引线盘、加热电极及引线盘，刻蚀得到背面凹槽，得到带有绝热槽的传感器。Au纳米粒子修饰SnO2多孔薄膜的一致性高、传感器响应速度快、功耗低，满足乙炔检测中超低检测限与体积限制要求。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116281841 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310249660.2 G01N 27/12 (2006.01) (22)申请日 2023.03.15 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 王海容　曹慧通　张泽　胡宗鑫　 贾琛　张群明　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 姚咏华 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图6页 (54)发明名称 一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备 方法 (57)摘要 本发明公开了一种低检测限MEMS乙炔气体 传感器及制备方法，包括在Si基底正面和背面， 分别制备SiO ‑Si N 双层复合薄膜；正面复合薄 2 3 4 膜上，沉积绝缘层，以自组装单层SiO 微球为模 2 板，配合金属氧化物SnO 的射频溅射，通过在丙

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