一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116859511 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310851298.6 (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人 吉林大学 地址 130012 吉林省长春市长春高新技术 产业开发区前进大街2699号 (72)发明人 王希斌　车远华　孙士杰　谢宇航　 王菲　张大明　 (74)专利代理机构 长春吉大专利代理有限责任 公司 22201 专利代理师 王立文 (51)Int.Cl. G02B 6/124 (2006.01) 权利要求书1页 说明书13页 附图10页 (54)发明名称 一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器 (57)摘要 一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器 及其制备方法，属于平面光波导器件及其制备技 术领域。本发明由硅片衬底、在硅片衬底上制备 的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的 聚合物层间耦合层、在聚合物层间耦合层和二氧 化硅下包层上制备的聚合物上包层组成，聚合物 层间耦合层被包覆在聚合物上包层之中；上层氮 化硅直波导芯由上层氮化硅直波导和上层二维 光栅波导组成，下层氮化硅直波导芯层由下层二 维光栅波导和下层氮化硅直波导组成。本发明充 分发挥了氮化硅波导传输损耗低、透明窗口宽、 热稳定性高的优势，以及聚合物材料种类多、制 A 备工艺简单等优势，并且这两种材料还具备工艺 1 成熟、相互兼容的特点，适合大规模制备生产，具 1 5 9 有重