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一种减少高阶径向模式出现的光子晶体光纤及其改进方法2025

2024-02-15 07:46:56 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310858660.2
  • 公开(公告)日:2025-07-11
  • 公开(公告)号:CN117555066A
  • 申请人:淮阴工学院
摘要:本发明公开了一种减少高阶径向模式出现的光子晶体光纤及其改进方法,所述光子晶体光纤降低光子晶体光纤的气孔区域的材料折射率。当光的波长为1.55微米时,材料折射率降低范围为0~0.444之间。对光子晶体光纤的气孔区域处理时,降低材料折射率的区域在气孔区域内径和外径各增加相应距离。光子晶体光纤材料使用二氧化硅,降低材料折射率的区域材料使用掺氟二氧化硅。本发明让更多的OAM模式能够不被干扰的在光纤中传输,同时所提出的方法不仅不会破坏光纤的其他性能,甚至可以提升部分性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117555066 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202310858660.2 G02B 27/00 (2006.01) (22)申请日 2023.07.13 (71)申请人 淮阴工学院 地址 223000 江苏省淮安市经济技术开发 区枚乘东路1号 (72)发明人 王晓晖 余永泽 邓冬冬 汪洋  毛帅 顾昊宇 庄立运 季仁东  杨松 何晓凤 朱铁柱 王超  杨玉东 张涛  (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 柏尚春 (51)Int.Cl. G02B 6/02 (2006.01) G02B 6/036 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种减少高阶径向模式出现的光子晶体光 纤及其改进方法 (57)摘要 本发明公开了一种减少高阶径向模式出现 的光子晶体光纤及其改进方法,所述光子晶体光 纤降低光子晶体光纤的气孔区域的材料折射率。 当光的波长为1.55微米时,材料折射率降低范围 为0 ~0.444之间。对光子晶体光纤的气孔区域处 理时,降低材料折射率的区域在气孔区域内径和 外径各增加相应距离。光子晶体光纤材料使用二 氧化硅,降低材料折射率的区域材料使用掺氟二 氧化硅。本发明让更

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