在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114627936 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202111493038.3 G11C 16/26 (2006.01) (22)申请日 2021.12.08 (30)优先权数据 63/122,835 2020.12.08 US 17/542,323 2021.12.03 US (71)申请人 意法半导体国际有限公司 地址 瑞士日内瓦 (72)发明人 V ·拉纳　N ·达拉尔　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 专利代理师 李春辉 (51)Int.Cl. G11C 16/08 (2006.01) G11C 16/30 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) 权利要求书4页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 在非易失性存储器中生成偏置电压的设备 和方法 (57)摘要 实施例提供了在非易失性存储器中生成偏 置电压的设备和方法。本公开涉及一种包括非易 失性存储器(NVM)的集成电路。该集成电路包括 偏置生成器，该偏置生成器产生用于NVM的可靠 读取操作的稳定字线电压和位线电压。本公开涉 及存储器读取、擦除验证和编程验证的低电压存 储器操作。本公开涉及非易失性存储器电路，该 非易失性存储器电路也可以在数字电压供应范 围内的低电源电压处操作。 A 6