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发明

一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池2025

2023-12-25 07:57:59 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311346020.X
  • 公开（公告）日：2025-05-09
  • 公开（公告）号：CN117265532A
  • 申请人：湘潭大学
摘要：本发明实施例提供一种铜簇体阵列复合集流体、制备方法及电池，通过PET薄膜进行磁控溅射，得到表面具有溅射金属层的复合薄膜；通过第一段复合电沉积，在溅射金属层表面得到含有铜种子及碳纳米管组成的复合层；通过第二段复合电沉积，在溅射金属层表面得到多个铜柱组成的第一高度铜簇体阵列；第一高度不超过2μm；通过第三段复合电沉积，在第一高度铜簇体阵列上延伸生长得到第二高度铜簇体阵列；其中，铜柱垂直于溅射金属层，碳纳米管分布在铜柱内部且为两部分，其中第一部分分布在溅射金属层表面及第一高度铜簇体阵列，第二部分分布在第二高度铜簇体阵列；通过三段复合电沉积调整了电镀金属层中碳纳米管的含量和分布。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117265532 A (43)申请公布日 2023.12.22 (21)申请号 202311346020.X C23C 14/20 (2006.01) C25D 3/38 (2006.01) (22)申请日 2023.10.18 C25D 15/00 (2006.01) (71)申请人 湘潭大学 C25D 5/10 (2006.01) 地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊沽塘 C25D 7/06 (2006.01) (72)发明人 潘俊安　王均豪　汪啸　潘勇　 欧阳晓平　 (74)专利代理机构 深圳市沈合专利代理事务所 (特殊普通合伙) 44373 专利代理师 沈祖锋 (51)Int.Cl. C23C 28/02 (2006.01) H01M 4/66 (2006.01) H01M 4/70 (2006.01) H01M 10/052 (2010.01) C23C 14/35 (2006.01)

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