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发明

一种异质结TCO薄膜的制备方法

2023-07-03 10:09:47 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202310343419.6
  • 公开（公告）日：2025-05-16
  • 公开（公告）号：CN116356273A
  • 申请人：广东利元亨智能装备股份有限公司
摘要：本发明涉及异质结电池技术领域，尤其是涉及一种异质结TCO薄膜的制备方法。本发明的一种异质结TCO薄膜的制备方法，包括如下步骤：硅片依次通过至少3个靶组对所述硅片的第一表面进行沉积；硅片依次通过至少3个靶组对所述硅片的第二表面进行沉积；沿所述硅片的运动方向，所述硅片的第一表面与所述靶组的垂直距离依次递减，所述硅片的第二表面与所述靶组的垂直距离依次递减；沿所述硅片的运动方向，对所述硅片的第一表面进行沉积的所述靶组的磁场强度依次递减，对所述硅片的第二表面进行沉积的所述靶组的磁场强度依次递减。本发明的制备方法能够提高溅射速率、减少制备时间，提高制得的TCO薄膜的性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116356273 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310343419.6 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人 广东利元亨智能装备股份有限公司 地址 516057 广东省惠州市惠城区马安镇 新鹏路4号 (72)发明人 请求不公布姓名　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 王鑫科 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 一种异质结TCO薄膜的制备方法 (57)摘要 本发明涉及异质结电池技术领域，尤其是涉 及一种异质结TCO薄膜的制备方法。本发明的一 种异质结TCO薄膜的制备方法，包括如下步骤：硅 片依次通过至少3个靶组对所述硅片的第一表面 进行沉积 ；硅片依次通过至少3个靶组对所述硅 片的第二表面进行沉积 ；沿所述硅片的运动方 向，所述硅片的第一表面与所述靶组的垂直距离 依次递减，所述硅片的第二表面与所述靶组的垂 直距离依次递减；沿所述硅片的运动方向，对所 述硅片的第一表面进行沉积的所述靶组的磁场 强度

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