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发明

一种氧化铪复合薄膜及其制备方法

2023-06-27 09:47:19 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202310306522.3
  • 公开（公告）日：2025-05-16
  • 公开（公告）号：CN116288154A
  • 申请人：同济大学
摘要：本发明涉及薄膜光学技术领域，尤其是涉及一种氧化铪复合薄膜及其制备方法。本发明旨在解决离子束辅助沉积工艺制备的氧化铪薄膜因易结晶、表面空洞缺陷密集而导致的粗糙度较大的问题，以及离子束轰击引起的薄膜吸收较大的问题。本发明在传统制备的纯氧化铪薄膜制备中插入薄层的氧化硅薄膜，将厚层氧化铪拆分隔离为数层纳米薄层，一方面可以有效抑制氧化铪薄膜的结晶，减少薄膜表面的孔洞缺陷，从而降低薄膜粗糙度；另一方面，部分含量氧化硅的引入也会降低氧化铪薄膜的吸收。与现有技术相比，本发明可以有效降低离子束辅助沉积工艺制备氧化铪薄膜表面粗糙度和吸收，同时制作成本低，易于推广，在超高精度激光测量领域具有广泛的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288154 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310306522.3 B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 20/00 (2011.01) (22)申请日 2023.03.27 C23C 14/54 (2006.01) (71)申请人 同济大学 G02B 1/10 (2015.01) 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号 (72)发明人 焦宏飞　钮信尚　汲小川　张锦龙　 马彬　程鑫彬　王占山　 (74)专利代理机构 上海科盛知识产权代理有限 公司 31225 专利代理师 褚明伟 (51)Int.Cl. C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/10 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) C23C 14/22 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种氧化铪复合薄膜及其制备方法

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