基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114333944 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111664072.2 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2 号大街 (72)发明人 王晓媛　李谱　张新睿　 (74)专利代理机构 杭州君度专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33240 代理人 陈炜 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译 码电路 (57)摘要 本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵 列的编码‑存储‑译码电路。本发明包括四部分， 其中：三值编码器电路包括编码器运行电压源、 三个输入三值忆阻器、三个电压控制型开关、三 个置位电压源。三值忆阻器交叉阵列包括多个阵 列单元，每行结构包括输入控制电压源、晶体管 控制电压源、开关和n个阵列单元，每列结构包括 双向开关、电阻和m个阵列单元。三值信号转换电 路包括两个置位电压源、两个电压控制型开关、 一个三值忆阻器和接地开关。三值译码器电路包 括译码器运行电压源、三个输出三值忆阻器、六 A 个电压控制型开关、置位电压源、辅助电阻和译 4 码控制开关。本发明结构清晰简单，易于实现，对 4 9 3 于基于忆阻器的非易失性存储领域的应用研究 3 3 4 具有重要意义。 1