Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116343887 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310242999.X (22)申请日 2023.03.14 (71)申请人 上海芯存天下电子科技有限公司 地址 201208 上海市浦东新区中国 （上海） 自由贸易试验区盛夏路169号、张东路 1658号1幢408室 (72)发明人 王文静　李佳泽　林杉　 (74)专利代理机构 佛山市海融科创知识产权代 理事务所(普通合伙) 44377 专利代理师 陈椅行 (51)Int.Cl. G11C 29/12 (2006.01) G06F 30/398 (2020.01) G06F 11/263 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介 质 (57)摘要 本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了 一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介 质，其中，验证方法包括步骤:根据Nor flash的 存储阵列构建简易存储模型，简易存储模型基于 局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成， i 局部位线组仅包括每条字线上第2 个字节及末 位字节对应所在的位线;利用简易存储模型对待 测设计进行功能验证;该验证方法仅保留对存储 阵列中边缘部分及符合增长规律的地址所对应 的存