电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284531 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202011268234.6 (22)申请日 2020.11.13 (30)优先权数据 10-2020-0021140 2020.02.20 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道水原市 (72)发明人 吴成一　孙教民　 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限 公司 11286 代理人 刘美华　尹淑梅 (51)Int.Cl. G11C 11/401 (2006.01) G11C 11/4063 (2006.01) 权利要求书3页 说明书23页 附图39页 (54)发明名称 电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法 (57)摘要 公开了电子系统、堆叠式存储器装置及其操 作方法。该堆叠式存储器装置包括缓冲半导体裸 片、多个存储器半导体裸片、多个贯穿硅过孔、 FIM前端电路和多个FIM后端电路。缓冲半导体裸 片被配置为与主机装置通信。存储器半导体裸片 堆叠在缓冲器半导体裸片上，且包括多个存储器 存储体。贯穿硅过孔使缓冲器半导体裸片与存储 器半导体裸片电连接。FIM前端电路从主机装置 接收用于FIM操作的多个FIM指令且存储FIM指 令。FIM操作包括基于从存储器存储体读取的内 部数据的数据处理。FIM后端电路分别包括在存 储器半导体裸片中。FIM后端电路在FIM前端电路 A 的控制下执行与存储在FIM前端电路中的多