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发明

存储阵列

2023-06-17 07:17:09 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202110513049.7
  • 公开（公告）日：2025-06-24
  • 公开（公告）号：CN113257296A
  • 申请人：北京灵汐科技有限公司
摘要：本公开提供了一种存储阵列。该存储阵列包括硅衬底、控制电路，以及至少一层阵列排布的存储器单元；控制电路设置于硅衬底上，至少一层存储器单元层叠设置于硅衬底上或控制电路远离硅衬底的一侧；存储器单元包括选通器；其中，选通器包括二维材料制备的基底。本公开存储阵列通过选用二维材料制备选通器的基底，再由制备的选通器形成存储器单元时，不同的存储器单元可以进行层叠设置。当存储器单元形成存储阵列时，存储阵列可以形成层叠设置的多层阵列排布的存储器单元，从而可以减小包括多层阵列排布的存储器单元的占用面积，实现存储阵列的高度集成。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257296 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110513049.7 (22)申请日 2021.05.11 (71)申请人 北京灵汐科技有限公司 地址 100080 北京市海淀区北四环西路67 号8层801 (72)发明人 何伟　祝夭龙　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 孟金喆 (51)Int.Cl. G11C 7/12 (2006.01) G11C 7/18 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) G11C 8/14 (2006.01) G11C 8/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 存储阵列 (57)摘要 本公开提供了一种存储阵列。该存储阵列包 括硅衬底、控制电路，以及至少一层阵列排布的 存储器单元；控制电路设置于硅衬底上，至少一 层存储器单元层叠设置于硅衬底上或控制电路 远离硅衬底的一侧；存储器单元包括选通器；其 中，选通器包括二维材料制备的基底。本公开存 储阵列通过选用二维材料制备选通器的基底，再 由制备的选通器形成存储器单元时，不同的存储 器单元可以进行层叠设置。当存储器单元形成存 储阵列时，存储阵列可以形成层叠设置的多层阵 列排布的存储器单元，从而可以减小包括多层阵 列排布的存储器单元的占

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