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发明

一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺2025

2024-04-16 07:23:23 发布于四川 9
  • 申请专利号：CN202410032589.7
  • 公开（公告）日：2025-06-20
  • 公开（公告）号：CN117862112A
  • 申请人：山东有研半导体材料有限公司|||有研半导体硅材料股份公司
摘要：本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺。该工艺包括以下步骤：(1)硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的方式保持表面湿润；(2)上一步骤完成后的60分钟内，使用2个SC1、2个双氧水和2个超纯水对硅片进行去蜡清洗，清洗流程为：SC1‑超纯水‑双氧水‑SC1‑超纯水‑双氧水，SC1清洗时间2‑10分钟，双氧水清洗时间0.5‑10分钟；(3)在预清洗前硅片转入双氧水中保存，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，再进行最终清洗。本发明能够极大降低沾污和腐蚀对硅片表面的影响，进而获得超高洁净度表面的硅抛光片。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117862112 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410032589.7 B08B 3/12 (2006.01) B08B 3/02 (2006.01) (22)申请日 2024.01.08 (71)申请人 山东有研半导体材料有限公司 地址 253012 山东省德州市经济技术开发 区袁桥镇东方红东路6596号（中元科 技创新创业园）A座921室 申请人 有研半导体硅材料股份公司 (72)发明人 赵江伟　王新　韩佩鑫　田凤阁　 陈克强　崔学军　黄书峰　王冠通　 (74)专利代理机构 北京北新智诚知识产权代理 有限公司 11100 专利代理师 刘秀青 (51)Int.Cl. B08B 3/08 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺 (57)摘要 本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡 清洗工艺。该工艺包括以下步骤：(1)硅片在有蜡 抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸 泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使 硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的 方式保持表面湿润；(2)上一步

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