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PCT发明

三维存储器设备、系统及其形成方法

2023-06-18 07:24:34 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202280000476.8
  • 公开（公告）日：2022-05-27
  • 公开（公告）号：CN114556565A
  • 申请人：长江存储科技有限责任公司
摘要：一种三维3D存储器设备包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一半导体层和NAND存储串阵列。第二半导体结构在第一半导体层的第二侧下方。第一半导体层的第二侧与第一半导体层的第一侧相反。第二半导体结构包括第二半导体层、第一外围电路和第二外围电路。第一外围电路包括与第二半导体层的第一侧接触的第一晶体管。第二外围电路包括与第二半导体层的第二侧接触的第二晶体管。第二半导体层的第二侧与第二半导体层的第一侧相反。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114556565 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202280000476.8 (74)专利代理机构 北京永新同创知识产权代理 有限公司 11376 (22)申请日 2022.01.13 专利代理师 林锦辉　刘景峰 (66)本国优先权数据 (51)Int.Cl. PCT/CN2021/103762 2021.06.30 CN H01L 27/11573 (2017.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 27/11575 (2017.01) 2022.03.18 H01L 27/11582 (2017.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 27/1157 (2017.01) PCT/CN2022/071723 2022.01.13 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 430000 湖北省武汉市

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