1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用2025

2023-09-18 07:28:14 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310702812.X
  • 公开（公告）日：2025-05-09
  • 公开（公告）号：CN116752089A
  • 申请人：哈尔滨理工大学
摘要：一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合物薄膜及其制备方法和应用。本发明属于聚合物电介质储能材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决聚合物薄膜电容器储能密度低以及传导损耗高的技术问题。本发明通过调控不同的溅射功率与溅射时间，选取恰当的基片转速、基板温度以及合适的靶基距进行溅射，在BOPP薄膜表面生长不同厚度的CoFe2O4作为磁性表面功能层，所得功能层表面粗糙度良好，未出现明显的缺陷。该磁性功能层能够有效提高电容薄膜的储能密度。此外，磁性功能层不但能够提高电子注入势垒，而且磁性表面功能层具有较大的剩余磁化，能够对电子产生洛伦兹力作用，调控电子的传输路径，减少传导损耗。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116752089 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310702812.X (22)申请日 2023.06.14 (71)申请人 哈尔滨理工大学 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学 府路52号 (72)发明人 张天栋　梁爽　迟庆国　张昌海　 殷超　 (74)专利代理机构 哈尔滨市阳光惠远知识产权 代理有限公司 23211 专利代理师 姜欢欢 (51)Int.Cl. C23C 14/08 (2006.01) H01G 4/06 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合 物薄膜及其制备方法和应用 (57)摘要 一种兼具高储能密度和低传导损耗的聚合 物薄膜及其制备方法和应用。本发明属于聚合物 电介质储能材料及其制备领域。本发明的目的是 为了解决聚合物薄膜电容器储能密度低以及传 导损耗高的技术问题。本发明通过调控不同的溅 射功率与溅射时间，选取恰当的基片转速、基板 温度以及合适的靶基距进行溅射，在BOPP薄膜表 面生长不同厚度的CoFe O 作为磁性表面功能 2 4 层，所得功能层表面粗糙度良好，未出现明显的 缺

最新专利

相关专利