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发明

适合高密度集成的PMUT-on-CMOS单元、阵列芯片及制造方法

2023-06-23 08:30:16 发布于四川 30
  • 申请专利号：CN202110991565.0
  • 公开（公告）日：2021-09-28
  • 公开（公告）号：CN113441379A
  • 申请人：南京声息芯影科技有限公司
摘要：本发明公开一种适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元通过垂直方向的多通道金属连线结构，实现PMUT‑on‑CMOS三维结构，通过 TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统PMUT‑on‑CMOS金属互连的瓶颈，极大地降低了金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对PMUT阵列性能的不良影响。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113441379 B (45)授权公告日 2021.11.23 (21)申请号 202110991565.0 B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2021.08.27 (56)对比文件 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 113441379 A CN 211957689 U,2020.11.17 CN 111151431 A,2020.05.15 (43)申请公布日 2021.09.28 CN 104860258 A,2015.08.26 (73)专利权人 南京声息芯影科技有限公司 CN 106660074 A,2017.05.10 地址 210000 江苏省南京市江北新区研创 CN 111683603 A,2020.09.18 园团结路99号孵鹰大厦2081室 CN 104507854 A,2015.04.08 (72)发明人 李晖　尹峰　 审查员 孙汝杰 (74)专利代理机构 北京德崇智捷知识产权代理

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