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发明

存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

2023-06-23 07:24:26 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110138367.X
  • 公开（公告）日：2025-05-27
  • 公开（公告）号：CN113345486A
  • 申请人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括在上方形成数字线并且所述数字线电耦合到其下方的存储器单元。所述数字线在竖直横截面中相对于彼此横向间隔开。向上开放的空隙空间横向地位于所述竖直横截面中的紧邻的所述数字线之间。用掩蔽材料覆盖所述数字线的导电材料，所述掩蔽材料在所述向上开放的空隙空间中并且不足以填满所述向上开放的空隙。从所述数字线的顶部正上方去除所述掩蔽材料以暴露导电数字线材料，并在所述向上开放的空隙空间中的所述导电数字线材料的侧壁上方留下所述掩蔽材料。绝缘材料相对于所述掩蔽材料跨越所述向上开放的空隙空间从暴露的导电数字线材料选择性地生长以形成在所述竖直横截面中的所述紧邻数字线之间的覆盖的空隙空间。公开了与方法无关的结构。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345486 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110138367.X (22)申请日 2021.02.01 (30)优先权数据 16/793,263 2020.02.18 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 A ·S ·瓦达　R ·J ·希尔　 A ·M ·洛　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 7/18 (2006.01) G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/06 (2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图27页 (54)发明名称 存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法 (57)摘要 本申请案涉及存储器阵列和用于形成存储 器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法 包括在上方形成数字线并且所述数字线电耦合 到其下方的存储器单元。所述数字线在竖直横截 面中相对于彼此横向间隔开。向上开放的空隙空 间横向地位于所述竖直横截面中的紧邻的所述 数字线之间。用掩蔽材料覆盖所述数字线的导电 材料，所述掩蔽材料在所述向上开放的空隙空间 中并且不足以填满所述向上开放的空隙。从所述 数字线的顶部正上方去除所述掩蔽材料以暴露 导电数字线材料，并在所述向上开放的空隙空间 中的所述导电数

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