Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116027635 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202111245430.6 (22)申请日 2021.10.26 (71)申请人 上海新阳半导体材料股份有限公司 地址 201616 上海市松江区思贤路3600号 申请人 上海芯刻微材料技术有限责任公司 (72)发明人 方书农　王溯　耿志月　崔中越　 (74)专利代理机构 上海弼兴律师事务所 31283 专利代理师 程青　陈卓 (51)Int.Cl. G03F 7/038 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01) 权利要求书10页 说明书16页 (54)发明名称 Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其 制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀 剂组合物及其制备方法和应用。本发明具体公开 了一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物由下述 原料制得，所述的原料包括下列以重量份计的组 分：80～150份的树脂A、5～20份的树脂B、5～15 份的树脂C、3～10份的光酸产生剂、2～10份的交 联剂、0.5～2.5份的酸扩散抑制剂和500～2000 份的溶剂；其中，所述树脂A和所述树脂C的重量 份数的比例为20:3～20:1，所述树脂B和所述树 脂C的重量份数的比例为1:2～2:1；所述树脂A为 A 取代苯乙烯树脂，由结构单元 5 3 6 7 2 0 6 组成，其中，m为1或2 ；R 为H、乙酰基或丙酰基；树 1