一种超组装策略制备垂直通道介孔碳钛/阳极氧化铝异质纳米通道的制备方法
- 申请专利号:CN202210585801.3
- 公开(公告)日:2025-07-18
- 公开(公告)号:CN114906799A
- 申请人:复旦大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114906799 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210585801.3 (22)申请日 2022.05.27 (71)申请人 复旦大学 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 (72)发明人 孔彪 周姗 曾洁 谢磊 (74)专利代理机构 上海德昭知识产权代理有限 公司 31204 专利代理师 丁振英 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 1/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图3页 (54)发明名称 一种超组装策略制备垂直通道介孔碳钛/阳 极氧化铝异质纳米通道的制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种超组装策略制备垂直通 道介孔碳钛/阳极氧化铝异质纳米通道(MCT/ AAO)的制备方法。该制备方法制备得到的垂直通 道介孔碳钛/阳极氧化铝异质纳米通道具有丰富 且规整的孔道结构,孔径大小为4.87nm。该纳米 通道呈现出非对称的化学组成、表面电荷分布以 及通道结构,其介孔碳钛层中,介孔碳框架含有 丰富的含氧官能团,主要提供负电荷位点用于调 控离子传输,嵌入到介孔碳框架中的氧化钛纳米 晶,其光电性能可以赋予纳米通道光控离子传输 性能。介孔碳钛层通道与阳极氧化铝通道是垂直 A 连通的,减少了物质传输阻力。该制备方法具有 9 普适性,通过调节介孔碳钛前驱体溶液中碳钛含 9 7
最新专利
- MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法公开日期:2025-07-25公开号:CN116443806A申请号:CN202310287939.XMEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法
- 发布时间:2023-07-21 07:12:290
- 申请号:CN202310287939.X
- 公开号:CN116443806A
- MEMS器件防电磁串扰封装工艺公开日期:2025-07-25公开号:CN115838155A申请号:CN202211419606.XMEMS器件防电磁串扰封装工艺
- 发布时间:2023-04-16 07:09:200
- 申请号:CN202211419606.X
- 公开号:CN115838155A
- 一种具有Z轴止挡的圆片级真空封装方法和MEMS封装结构公开日期:2025-07-25公开号:CN114906796A申请号:CN202110175301.8一种具有Z轴止挡的圆片级真空封装方法和MEMS封装结构
- 发布时间:2023-05-20 10:59:380
- 申请号:CN202110175301.8
- 公开号:CN114906796A
- 半导体器件制造方法及电子装置公开日期:2025-07-22公开号:CN114314500A申请号:CN202011069514.4半导体器件制造方法及电子装置
- 发布时间:2023-05-06 09:50:330
- 申请号:CN202011069514.4
- 公开号:CN114314500A
- 一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法公开日期:2025-07-22公开号:CN115973995A申请号:CN202211623269.6一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法
- 发布时间:2023-05-28 09:10:210
- 申请号:CN202211623269.6
- 公开号:CN115973995A
- 一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法公开日期:2025-07-18公开号:CN116281841A申请号:CN202310249660.2一种低检测限MEMS乙炔气体传感器及制备方法
- 发布时间:2023-06-27 09:41:070
- 申请号:CN202310249660.2
- 公开号:CN116281841A