平坦度控制方法、装置、设备及介质

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115723038 A (43)申请公布日 2023.03.03 (21)申请号 202211474828.1 (22)申请日 2022.11.23 (71)申请人 上海积塔半导体有限公司 地址 200135 上海市浦东新区云水路600号 (72)发明人 杨志远　徐乃康　 (74)专利代理机构 华进联合专利商标代理有限 公司 44224 专利代理师 杨明莉 (51)Int.Cl. B24B 37/10 (2012.01) H01L 21/306 (2012.01) B24B 37/005 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 平坦度控制方法、装置、设备及介质 (57)摘要 本申请涉及一种平坦度控制方法、装置、设 备及介质，所述方法包括：获取所述目标晶圆的 当前表面的厚度均一性参数及相对研磨量，所述 相对研磨量为所述目标晶圆的当前厚度值与 目 标厚度值的差值；根据所述厚度均一性参数、所 述相对研磨量及目标修正模型，计算所述目标晶 圆的绝对研磨量，所述目标修正模型包括所述绝 对研磨量与所述厚度均一性参数及所述相对研 磨量的关联关系；根据所述绝对研磨量控制所述 机台执行所述预设化学机械研磨工艺。上述平坦 度控制方法不仅节省了CMP的工艺时间，并避免 了目标晶圆报废的情况发生，节省了材料损耗， A 还提高了新产品下线到CMP工艺中进行研磨的效 8 率。 3 0 3 2 7 5 1